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通过分析纳米孔的透射电子显微镜（TEM）截面图像和蒙特卡罗理论模拟，研究了聚焦离子柬（FIB）研磨Au-Ti-GaAs薄膜的基本性能。应用蒙特卡罗方法模拟FIB研磨三层薄膜的损伤深度与离子能量大小的关系，由于材料不同的阻止本领和晶体结构等因素对损伤深度的影响，随着离子能量的增大，损伤深度并非线性增加。同时，溅射物质的重沉积也影响着纳米孔的形貌，对此也作了系统的分析和探讨。