半导体釉是由绝缘基釉加一种或多种导体而成的。这些导体有尖晶石晶体结构（RO·R₂O₃）。导体晶体形成聚合网络时获得导电率。釉的电阻与导体含量的函数关系呈S形曲线变化,导电率的差别取决于导体颗粒形状及其在釉中的分布情况。导体的导电率如不能达到时可通过加入添加剂得到满足。文中详细列举不同类型导体的半导体釉的化学组成、矿物组成或它们的釉式;导体中晶相含量与它们表面电阻系数的关系。介绍了SiC釉底料、保护层、复盖釉层的配方。半导体釉使用后会发生电解腐蚀而损坏。氧化铁釉工艺简单、便宜,但性能不够稳定、不美观、抗腐蚀性差、半值温度小。氧化钛釉的耐腐蚀性及热稳定性好,但对气氛很敏感,加入二硅化钼可期望在氧化气氛中烧成而获得合适的性能,然而耐弧性能差。氧化锡釉是目前被认为最好的半导体釉,但它对还原气氛和较高的烧成温度不能适应。SiC釉具有良好的抗腐蚀性与较大的半值温度,但工艺过程复杂,要上三次釉,（SiC釉底料、保护层、普通釉）,三层釉的总厚度烧后为500～2000微米。