【摘 要】
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采用射频等离子体增强化学气相沉积技术（RF-PECVD），在不同硅烷浓度下制备本征非晶硅薄膜，研究薄膜材料的微结构和光电性能。研究表明，在硅烷浓度为5％时，制备的薄膜材料处于非晶／微晶
【机 构】
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河北工业大学信息工程学院,河北汉盛光电科技有限公司
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采用射频等离子体增强化学气相沉积技术（RF-PECVD），在不同硅烷浓度下制备本征非晶硅薄膜，研究薄膜材料的微结构和光电性能。研究表明，在硅烷浓度为5％时，制备的薄膜材料处于非晶／微晶相过渡区域，具有宽光学带隙、低吸收系数、较高电导率和较好的致密性。作为钝化层应用到HIT太阳电池中，具有良好的钝化效果，在n型单晶硅衬底上制备出了效率为13．92％的太阳电池。
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