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采用正硅酸乙脂热分解系统（TEOS-02-N2）淀积SiO：工艺在大功率垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）器件及产品的研发和生产中有着非常重要的应用。主要介绍了正硅酸乙脂热分解系统淀积二氧化硅（SiO2）系统调试。通过大量的实验建立用正硅酸乙脂热分解系统淀积二氧化硅的工艺参数，并把实验淀积二氧化硅用于垂直双扩散金属氧化物半导体器件及产品的研发和生产中，取得了较为理想的结果。