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为精确模拟三维有耗薄涂层问题，提出了一种新的基于等效介质参数的共形FDTD（modified conformal FDTD,MCFDTD）方法。对于包含薄涂层的元胞，将薄涂层和自由空间用等效介质来代替；元胞中电场采样点处的介电系数和电导率的等效值，通过元胞中涂层介质和自由空间所占的长度加权平均得到，而磁场采样点处的磁导系数和导磁率的等效值，则利用涂层介质和自由空间所占的面积加权平均得到。对于弯曲理想导体表面附近元胞，通过采用围线路径积分导出共形FDTD递推式，包含薄涂层的共形网格在递推式中需采用等效介质参