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文章建立了立方四面体3d^2络合物g因子的完全高阶微扰公式。在这个公式中，除了与d—d跃迁光谱（晶场激发态）有关的晶场（CF）机制的贡献（包括近年发展的双旋-轨耦合参量模型）外，与电荷转移光谱（荷移激发态）有关的荷移（CT）机制的贡献也被考虑。将这个公式应用于Ba2MgGe2O7：Cr^4＋晶体平均g因子的计算，发现理论计算值与实验值很好的一致，同时，荷移机制对g移动△g（=g-2．0023）的贡献△gcT在符号上与晶场机制的贡献△gCF相反，而在大小上约为晶场机制贡献的38％。因此，在对高价态过渡金属离