MOCVD快速沉积的YBCO/Ag厚膜的微结构与超导性能研究

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本文为改善MOCVD快速沉积的YBCO/Ag厚膜的成份均匀性,首次采用了源温度补偿的办法.并对微结构、超导性能与膜厚的关系进行了研究.结果表明:在Ba源升华过程中用温度补偿办法,可改善膜生长后期的成份均匀性;XRU结果表明随着膜厚的增加,α取向的(H00)峰增强,同时其它取向峰相继出现,但膜的取向仍以c取向为最强;,微区成份研究表明膜面平整、晶粒小、成份均匀;Ic~H(H⊥膜面)关系研究表明,厚膜中有较多的钉扎中心,使Ic(H)随外场增加而退降的趋势变缓.不刻桥样品的临界电流密度约7×102A/
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