400Mb/S1千兆位DDR SDRAM

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【摘要】

：

1999年初，Siemens半导体公司宣布将首次生产双日期速率1千兆位SDRAM。它是由IBM公司在纽约EastFishkill的先进半导体技术中心开发的。1999年第二季度将能看到16Turn宽ThOP88的

【作者】

：

荣莹

【出处】

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微电子技术

【发表日期】

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1999年6期

【关键词】

：

SDRAM 千兆数据速率 Siemens 位结构半导体技术电脑装置金属化首次生产服务器

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1999年初，Siemens半导体公司宣布将首次生产双日期速率1千兆位SDRAM。它是由IBM公司在纽约EastFishkill的先进半导体技术中心开发的。1999年第二季度将能看到16Turn宽ThOP88的封装样品。l千兆位SDRAM采用X16位结构和X32位结构Th种类型，能完成每秒每线400Mb的数据速率。其中X32位宽结构的SDRAM提供的系统数据速率为1．6Gb／S。1千兆位SDRAM主要用于高瑞服务器、网络装置和手提电脑装置。芯片采用四层金属化的O．18PmCMOS技术，2．SV器件是根据S

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