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期刊论文
GaAs上Ge薄膜的性能研究
GaAs上Ge薄膜的性能研究
来源 :北京师范大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:a12c3d4e5f6
【摘 要】
:
用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀800nm Ge,Ge薄膜在500℃以上退火有再结晶过程,退火后由非晶变成多晶.在Ge和GaAs界面处有互扩散,电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度p
【作 者】
:
杨茹
任永玲
李国辉
阎凤章
朱红清
【机 构】
:
北京师范大学低能核物理研究所
【出 处】
:
北京师范大学学报(自然科学版)
【发表日期】
:
2001年2期
【关键词】
:
Ge/GaAs
白光快速退火
再结晶
界面扩散
光纤通信
光电材料
Ge/GaAs
RTA
recrystalize
inter-diffusion at
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用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀800nm Ge,Ge薄膜在500℃以上退火有再结晶过程,退火后由非晶变成多晶.在Ge和GaAs界面处有互扩散,电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度p型,可能是由于Ga扩散到Ge中的掺杂或是Ge的缺陷行为所致.
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