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提出了一种具有P型埋层的PSOI器件耐压新结构，称为埋层PSOI（BPSOI）．其耐压机理是，通过P型埋层电荷产生的附加电场调制作用，导致表面电场分布中产生新的峰而使击穿电压提高；P型埋层的电中性作用增加了漂移区优化的浓度而使比导通电阻降低．借助二维MEDICI数值分析软件，获得此结构较一般PSOI的击穿电压提高52％～58％、比导通电阻降低45％-48%．