【摘 要】
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采用射频等离子体增强化学气相沉积法,制备了掺硼和掺磷的氢化纳米硅薄膜（nc-Si∶H）,并将其应用于纳米硅薄膜类叠层太阳电池中。分析了薄膜样品的光学性能及表面形貌,结果表明：P
【机 构】
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北京航空航天大学,英利集团有限公司
【基金项目】
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863计划资助项目（2012AA050304）
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采用射频等离子体增强化学气相沉积法,制备了掺硼和掺磷的氢化纳米硅薄膜（nc-Si∶H）,并将其应用于纳米硅薄膜类叠层太阳电池中。分析了薄膜样品的光学性能及表面形貌,结果表明：P型掺硼纳米硅薄膜的光学带隙为2.189 eV,电导率为8.01 S/cm,霍尔迁移率为0.521 cm^2/（V.S）,载流子浓度为9.61×1019/cm3;N型掺磷纳米硅薄膜的光学带隙为1.994 eV,电导率为1.93 S/cm,霍尔迁移率为1.694 cm^2/（V.S）,载流子浓度为7.113×10^1
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