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期刊论文
间接耦合光探测器再分析
间接耦合光探测器再分析
来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yxhly
【摘 要】
:
再次分析了间接耦合光探测器耦合系数定义的自相矛盾,指出这种器件的耦合区实际上是表面耗尽区,或者是表面反型层区,并说明这种器件结构本质上是一种MOS场效应结构。
【作 者】
:
尹长松
【机 构】
:
武汉大学物理系!武汉430072
【出 处】
:
半导体光电
【发表日期】
:
1999年6期
【关键词】
:
间接耦合光探测器
MOS场效应结构
电荷耦合器件
indirect coupling photodetectors
MOS field effect stru
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再次分析了间接耦合光探测器耦合系数定义的自相矛盾,指出这种器件的耦合区实际上是表面耗尽区,或者是表面反型层区,并说明这种器件结构本质上是一种MOS场效应结构。
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