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再次分析了间接耦合光探测器耦合系数定义的自相矛盾,指出这种器件的耦合区实际上是表面耗尽区,或者是表面反型层区,并说明这种器件结构本质上是一种MOS场效应结构。
间接耦合光探测器再分析
【摘 要】
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再次分析了间接耦合光探测器耦合系数定义的自相矛盾,指出这种器件的耦合区实际上是表面耗尽区,或者是表面反型层区,并说明这种器件结构本质上是一种MOS场效应结构。
【机 构】
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武汉大学物理系!武汉430072
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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1999年6期
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