金属预制层对CuIn1-xGaxSe2薄膜性能的影响

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在镀有Mo的纳钙玻璃衬底上顺序溅射沉积CuGa/In/CuGa层,然后在真空下520℃硒化40min,制备成CIGS薄膜.通过调整预制层的底层和表层的溅射沉积CuGa层的厚度比,制备不同的CIGS薄膜.通过X射线衍射谱、拉曼谱、电子能谱、平面和断面SEM的分析,揭示出CIGS薄膜是黄铜矿相的结构,晶粒0.5—2μm,且由硒化CuGa/In/CuGa厚度比为7:20:3的金属预制层后的CIGS薄膜的结晶性最好.拉曼光谱表明,没有In—Se二元化合物相和有序缺陷化合物相.
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