【摘 要】
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实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在紫外汞灯和He_Cd激光照射下的光诱导现象,证实了光照射后的As2S8薄膜的折射率增大,体积缩小,可见光吸收谱的吸收带蓝移。在此基础上,应用
【机 构】
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上海理工大学光学与电子信息工程学院,上海理工大学光学与电子信息工程学院,上海理工大学光学与电子信息工程学院,上海理工大学光学与电子信息工程学院,日本法政大学工学院物质化学系,日本东京农工大学工学院应用
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实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在紫外汞灯和He_Cd激光照射下的光诱导现象,证实了光照射后的As2S8薄膜的折射率增大,体积缩小,可见光吸收谱的吸收带蓝移。在此基础上,应用光折变效应试制了As2S8条波导,观测到As2S8条波导的光阻断效应,实现了光_光效应的开关功能。
The photoinduced phenomenon of amorphous As2S8 semiconductor thin films irradiated by UV mercury lamp and He_Cd laser was investigated experimentally. It was confirmed that the refractive index of As2S8 thin films increased, the volume decreased and the absorption band of visible light absorption shifted blue. On this basis, the As2S8 waveguides were fabricated by using the photorefractive effect, and the light blocking effect of As2S8 waveguides was observed to realize the switching function of light-light effect.
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