【摘 要】
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采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势计算方法,对比研究了菱方结构MI3(M=Bi,Sb,As)的弹性和电子性质。结果表明:SbI3的生成焓最低,较BiI3、AsI3更易生成。这三种材料
【基金项目】
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黑龙江省教育厅科学技术研究项目(1352MSYYB013).
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采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势计算方法,对比研究了菱方结构MI3(M=Bi,Sb,As)的弹性和电子性质。结果表明:SbI3的生成焓最低,较BiI3、AsI3更易生成。这三种材料都体现了弹性各向异性特征。SbI3是偏延性材料,BiI3和AsI3是脆性材料。高压下AsI3更容易被压缩。德拜温度的大小关系依次为SbI3 >BiI3 >AsI3。MI3(M=Bi,Sb,As)都是间接带隙半导体,电子的局域程度较强。在费米能级附近,I-5p轨道电子和金属M-s轨道电子发生杂化,形成共价键。
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