【摘 要】
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采用磁控反应溅射法,分别在室温和90℃条件下制备了两个系列的氧化银薄膜,其中氧氩比从1:4变化到2:1。SEM表明薄膜中的氧化银纳米颗粒尺寸均小于30nm。XRD表明随制备温度的提
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采用磁控反应溅射法,分别在室温和90℃条件下制备了两个系列的氧化银薄膜,其中氧氩比从1:4变化到2:1。SEM表明薄膜中的氧化银纳米颗粒尺寸均小于30nm。XRD表明随制备温度的提高AgO衍射峰减弱,Ag2O衍射峰增强,揭示了在成膜过程中,温度提高引起AgO热分解为Ag2O。分光光度计测量的反射谱和吸收谱表明氧化银的吸收边在400 nm附近,计算的氧化银禁带宽度约为3.1 eV。通过对银的特征峰(312nm处)向短波方向的移动和消失分析证实氧氩比增大的确有助于银的完全氧化,并且氧氩比2:1条件下制备的样品质量较佳。
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