论文部分内容阅读
通过增加一个NMOP、PMOS和一个电阻组成的单粒子瞬态抑制电路，设计了一种新的抗单粒子瞬态加固的偏置电路，该偏置电路具有较高抗单粒子瞬态能力．为了证实其抗单粒子能力，基于SIMC130nmCMOS工艺设计了传统的及提出的抗单粒子瞬态两种结构的偏置电路．仿真结果表明，对于提出的加固偏置电路，由单粒子引起的瞬态电压和电流的变化幅值分别减小了约80．6％和81．2％；同时增加的单粒子瞬态抑制电路在正常工作状态下不消耗额外功耗，且所占用的芯片面积小，也没有引入额外的单粒子敏感结点．