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采用两步法制备了高能质子源靶用氢化铒薄膜。并研究了氢化时间、氢化速度等冈素对氢化饵薄膜质量的影响。XRD结果显示，只有氢化时间超过24h才能获得较纯净的氢化铒薄膜。将氧化反应温度和氢气压力控制在适当范围内，使得铒薄膜缓慢被氢化并使得氢化过程所产生的应力缓慢释放，可获得较完恒的氢化铒薄膜。所获得的5～15μm氢化铒薄膜已经应用于高能质子束的产生实验，取得了良好的实验结聚。