【摘 要】
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据《东芝レビユ》2007年第3期报道,由于SiC材料是一种高耐压超低损的下一代功率器件的理想半导体材料,东芝公司采用了具有专利的浮接合结构成功地开发了达到4H-SiC极限水平
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据《东芝レビユ》2007年第3期报道,由于SiC材料是一种高耐压超低损的下一代功率器件的理想半导体材料,东芝公司采用了具有专利的浮接合结构成功地开发了达到4H-SiC极限水平Super肖特基势垒二极管(SBD)。该器件的耐压为2700V,特征导通电阻仅为2.57mΩcm2,是一种超低导通电阻的
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