【摘 要】
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利用真空镀膜设备,采用电子束离子辅助蒸发技术,在条宽100μm腔长1mm的半导体激光器发光芯片的端面沉积光学介质膜.经测试采用这种技术制作出的高亮度半导体激光器发光芯片的
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利用真空镀膜设备,采用电子束离子辅助蒸发技术,在条宽100μm腔长1mm的半导体激光器发光芯片的端面沉积光学介质膜.经测试采用这种技术制作出的高亮度半导体激光器发光芯片的输出功率达3.6W,与未镀膜的器件相比功率提高了2.5～3.1倍,外微分量子效率提高到89.76%,功率效率达到40.2%.激射波长为850.7nm.
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