高击穿电压的AIGaN/GaN FP-HEMT研究与分析

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【摘要】

：

就蓝宝石衬底上制备的A1GaN/GaN场板(field plate)HEMT器件、常规HEMT器件性能进行了分析对比.结果证明两种结构的器件直流参数变化不大,但是采用场板后器件的击穿电压从52 V

【作者】

：

郭亮良冯倩郝跃杨燕

【机构】

：

西安电子科技大学微电子研究所

【出处】

：

物理学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

A1GaN/GaN HEMT 场板击穿电压

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就蓝宝石衬底上制备的A1GaN/GaN场板(field plate)HEMT器件、常规HEMT器件性能进行了分析对比.结果证明两种结构的器件直流参数变化不大,但是采用场板后器件的击穿电压从52 V提高到了142 V.在此基础上利用Sivaco软件对两种器件进行模拟仿真,深入分析了FP对器件击穿电压的影响.

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