新型存储材料BIT铁电薄膜B位双掺杂初探

来源 :开封大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kerrytony
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利用化学溶液沉积法,在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上和700℃条件下分别制备了Nd和(Al,Sc)共掺杂的钛酸铋薄膜(Bi3.15,Nd0.85)(Ti3-x(Alx,scx))O12[记做BNT(AI(x),sc(x))](x=0.015,0.030,0.045,0.060),并进行了这一系列薄膜的微结构、表面形貌、铁电等特性的研究.发现当掺杂含量为x=0.030时,薄膜具有较高的剩余极化强度(2Pr=24.80/2C/cm2).讨论了相关的物理机制.
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