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VMOS功率场效应晶体管有两种结构,一种是VVMOS功率场效应晶体管,另一种是VDMOS功率场效应晶体管。VVMOS结构是美国雷达半导体公司在1975年首先提出的。这种结构是在n+衬底上的n-外延层上,先后进行P型区和n+型区两次选择扩散,然后利用硅的各向异性刻硅技术,刻注出v型槽。槽的深度由槽的开口宽度决定,槽壁与硅片平面成54.70角。沟道长度由扩散的深度差决定,在1~2um之间。漏极从芯片的背面引出。由于这种结构是利用V形槽实现垂直导电的,故称为VVMOS结构。