【摘 要】
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以C-Si坯体融渗Si的方法制备反应烧结碳化硅,研究了坯体中Si含量对素坯结构、物相组成以及材料性能的影响.C转化为SiC时的体积效应是引起坯体毛细管阻塞的主要原因.Si粉的掺
【基金项目】
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国家科技攻关项目，湖北省武汉市科技攻关项目
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以C-Si坯体融渗Si的方法制备反应烧结碳化硅,研究了坯体中Si含量对素坯结构、物相组成以及材料性能的影响.C转化为SiC时的体积效应是引起坯体毛细管阻塞的主要原因.Si粉的掺入提供了精细地调整坯体结构的手段,使SiC的转化率得以提高.烧结过程研究表明,预掺Si使部分SiC的合成反应提前进行,反应发热得以减缓.当调整坯体中C含量为0.84 g/cm3时,制得了密度与断裂强度分别为3.09 g·cm-3 和550±25 MPa的反应烧结碳化硅材料.
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