【摘 要】
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测量了ＺｎＳｅ，Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 合金和ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格的１０～３００Ｋ 的变温光致发光谱．发现ＺｎＳｅ 的带隙在１０Ｋ 时比Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 合金的带隙小，而在３００Ｋ 时比合金的带隙大．预计ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格中在１３０Ｋ 附近会发生势阱层和势垒层的反转．在ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格中观测到了这种
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室!北京100083,中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室!北京100083,中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室!北京10008
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测量了ＺｎＳｅ，Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 合金和ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格的１０～３００Ｋ 的变温光致发光谱．发现ＺｎＳｅ 的带隙在１０Ｋ 时比Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 合金的带隙小，而在３００Ｋ 时比合金的带隙大．预计ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格中在１３０Ｋ 附近会发生势阱层和势垒层的反转．在ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格中观测到了这种反转但发生在８０Ｋ 附近．超晶格中Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 层的应变可能是反转温度变低的原因．
The temperature-dependent photoluminescence spectra of ZnSe, Zn0.84Mn0.16Se and ZnSe / Zn0.84Mn0.16Se superlattices were measured at 10 ~ 300K. The band gap of ZnSe was found to be smaller at 10K than the band gap of Zn0.84Mn0.16Se alloy and larger at 300K than the band gap of the alloy. It is expected that reversal of the well layer and the barrier layer occurs in the vicinity of 130K in the ZnSe / Zn0.84Mn0.16Se superlattice. This reversal was observed in the ZnSe / Zn0.84Mn0.16Se superlattice but occurred near 80K. Strain in the Zn0.84Mn0.16Se layer in the superlattice may account for the lower inversion temperature.
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