【摘 要】
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氮化硅在红外热电堆中既充当钝化隔离层又充当红外吸收层,其薄膜刻蚀在MEMS工艺中至关重要.采用RIE-10NR反应离子刻蚀机以SF6为主要刻蚀气体,通过改变氧气流量、射频功率、腔
【机 构】
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中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室 太原030051;北方自动控制技术研究所 太原030006
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氮化硅在红外热电堆中既充当钝化隔离层又充当红外吸收层,其薄膜刻蚀在MEMS工艺中至关重要.采用RIE-10NR反应离子刻蚀机以SF6为主要刻蚀气体,通过改变氧气流量、射频功率、腔室压强对氮化硅薄膜进行刻蚀实验.通过台阶仪及共聚焦显微镜表征刻蚀形貌、速率及刻蚀均匀性.实验表明,在SF6流量为50sccm,O2流量为10 sccm,腔室压强为11 Pa,射频功率为250 W的条件下,氮化硅刻蚀速率达到509 nm/min,非均匀性可达2.4％;在同样条件下,多晶硅的刻蚀速率达到94.5 nm/min,选择比为5.39∶1.
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