杂质氧在离子束混合形成MoSi2中的行为

来源 :北京师范大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：nihaoalinlin

【摘要】

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Mo膜中的杂质氧明显减慢了Xe+离子轰击诱生的MoSi2的生长速率,氧的内扩散和再分布是由损伤分布支配的.小电流密度(【5×10-7A/cm

【作者】

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姬成周黄致新刘伊犁

【机构】

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北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所

【出处】

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北京师范大学学报：自然科学版

【发表日期】

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1989年A04期

【关键词】

：

离子束混合再分布硅化物生成 ion beam mixing redistribution silicidation.

【基金项目】

：

Supported by National Natural Science Foundation of China.

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Mo膜中的杂质氧明显减慢了Xe+离子轰击诱生的MoSi2的生长速率,氧的内扩散和再分布是由损伤分布支配的.小电流密度(【5×10-7A/cm2)Xe+离子轰击引起的Mo/Si混合区,随轰击剂量增大而增大,但不生成钼硅化物相;衬底适当加温（】300℃）条件下,Xe<

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