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该文根据新建立的ＢｉＣＭＯＳ门电路延迟模型，从器件性能和电路工作状态两个层次上分析了低温ＢｉＣＭＯＳ门电路的优化设计，得到了物理清晰，可靠的结核，并且所提出的理论和方法，对高速ＢｉＣＭＯＳ低温电路的设计具有实际指导意义。
低温BiCMOS电路的优化设计
【摘 要】
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该文根据新建立的ＢｉＣＭＯＳ门电路延迟模型，从器件性能和电路工作状态两个层次上分析了低温ＢｉＣＭＯＳ门电路的优化设计，得到了物理清晰，可靠的结核，并且所提出的理论和方法，对高速ＢｉＣＭＯＳ低温电路的设计具有
【机 构】
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南京东南大学微电于中心
【出 处】
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低温与超导
【发表日期】
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1995年4期
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