包含自加热效应的短沟道SOIMOSFET直流模型

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lhl23
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SOIMOSFET中存在着严重的自加热效应,对其直流特性有较大的影响。给出准确的自加热效应模型是精确模拟SOIMOSFET直流特性的基础。文中通过对自加热效应的分析,建立了SOIMOSFET的自加热效应模型,在此基础上给出了一个包含自加热效应的短沟道SOIMOSFET直流模型,并对该模型进行了验证。 SOIMOSFET there is a serious self-heating effect, its DC characteristics have a greater impact. Given an accurate self-heating effect model is the basis for accurately simulating the DC characteristics of the SOIMOSFET. Based on the analysis of self-heating effect, a self-heating effect model of SOIMOSFET is established. Based on the self-heating effect, a short-channel SOIMOSFET DC model with self-heating effect is given and the model is validated.
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