【摘 要】
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设计了一种锗源环栅线隧穿晶体管（GAA-LTFET），并采用TCAD工具对其工作原理进行了分析，通过双栅功函数技术抑制寄生点隧穿机制，消除了转移电流曲线上的驼峰现象，提高器件特性。此外，还针对源区掺杂浓度和沟道厚度等关键参数进行了分析和优化，最终器件平均亚阈值摆幅可达33.4 mV/dec，开态电流可达0.64μA/μm，开关比值约为9×108，该器件的优异特性有望促进后摩尔时代超低功耗技术的发展
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（62004119）； 山西省应用基础研究计划资助项目（201901D211400）；
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设计了一种锗源环栅线隧穿晶体管（GAA-LTFET），并采用TCAD工具对其工作原理进行了分析，通过双栅功函数技术抑制寄生点隧穿机制，消除了转移电流曲线上的驼峰现象，提高器件特性。此外，还针对源区掺杂浓度和沟道厚度等关键参数进行了分析和优化，最终器件平均亚阈值摆幅可达33.4 mV/dec，开态电流可达0.64μA/μm，开关比值约为9×108，该器件的优异特性有望促进后摩尔时代超低功耗技术的发展。
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