【摘 要】
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10kV以上高压功率器件的应用提出了高质量快速4H-SiC外延生长工艺要求。4°4H-SiC厚膜外延生长时,对于器件制备不利的三角缺陷和台阶聚并是常见问题,使用HCl气体作为含Cl化合
【机 构】
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西安理工大学材料科学与工程学院,中国电子科技集团公司第二研究所
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10kV以上高压功率器件的应用提出了高质量快速4H-SiC外延生长工艺要求。4°4H-SiC厚膜外延生长时,对于器件制备不利的三角缺陷和台阶聚并是常见问题,使用HCl气体作为含Cl化合物,研究了不同刻蚀工艺、不同刻蚀温度对于4H-SiC外延层质量的影响。采用1 620℃HCl气体刻蚀衬底5min,1 600℃外延生长的工艺,可以有效降低三角缺陷数量,同时避免台阶聚并的形成。通过刻蚀工艺,以平均55.2μm/h的外延速率生长了平均55.2μm厚的高质量4H-SiC外延层,三角缺陷数量<1个/cm2,表面粗糙度0.167nm。
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