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采用旋涂法在玻璃基底上制备SnO2薄膜,通过原子力显微镜(AFM)、X射线反射(XRR)、傅氏转换红外线光谱仪(FT-IR)、X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光光度计、四探针、开尔文探针系统对薄膜的表面形貌、结构及光学特性、电学特性进行分析,探讨了退火温度对薄膜质量的影响及作用机制.研究发现:随着退火温度升高,薄膜厚度和有机成分杂质减小,薄膜密度递增,但薄膜表面粗糙度有所上升;当退火温度升高至500℃时,薄膜结构由非晶转变为结晶,其主要晶面为氧化锡的(110)、(101)和(211)晶面.旋涂法制备的氧化锡薄膜在可见光区域的平均透光率在90％以上,随着退火温度上升,薄膜在400～800 nm波段的透光率先减小后增大,薄膜的带隙宽度分别为3.840 eV(沉积态薄膜)、3.792 eV(100℃)、3.690 eV(300℃)和3.768 eV(500℃);薄膜的电导率也随着退火温度升高而增加,在500℃时电导率高达916 S/m;薄膜的功函数先增大后减小,分别为(4.61±0.005)eV(沉积态薄膜)、(4.64±0.005)eV(100℃)、(4.82±0.025)eV(300℃)、(4.78±0.065)eV(500℃).