【摘 要】
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报道了一种新型的CdGeAs2晶体择优腐蚀剂,配方为：H2O2（30%）∶NH4OH（含NH325%-28%）∶NH4Cl（5mol/L）∶H2O=1 mL∶1.5 mL∶1.5 mL∶2 mL。将经机械研磨、物理抛光和溴甲醇化学抛光处理
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报道了一种新型的CdGeAs2晶体择优腐蚀剂,配方为：H2O2（30%）∶NH4OH（含NH325%-28%）∶NH4Cl（5mol/L）∶H2O=1 mL∶1.5 mL∶1.5 mL∶2 mL。将经机械研磨、物理抛光和溴甲醇化学抛光处理后的表面平整无划痕的CdGeAs2晶片,在40℃下超声振荡腐蚀数分钟,采用金相显微镜和SEM进行蚀坑观察。结果表明,新型腐蚀剂对CdGeAs2晶体（204）和（112）晶面择优腐蚀效果显著,蚀坑取向一致,具有很强的立体感;（204）晶面蚀坑呈三角锥形,（112）晶面蚀坑呈
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