【摘 要】
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用金属硬掩模层(MHM)进行一体化(AIO)刻蚀的工艺是40 nm节点后道工序的关键工艺技术。阐述了40 nm低功耗芯片工艺研发过程中,一体化刻蚀工艺开发所遇到的诸多工艺难题,并对其
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用金属硬掩模层(MHM)进行一体化(AIO)刻蚀的工艺是40 nm节点后道工序的关键工艺技术。阐述了40 nm低功耗芯片工艺研发过程中,一体化刻蚀工艺开发所遇到的诸多工艺难题,并对其产生的机理进行了深入分析。结合工艺设备与工艺特性,进行了刻蚀实验并对刻蚀工艺条件进行了优化,使用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品形貌进行了观测,采用电迁移测试结构对通孔样品的可靠性进行了测试,结果表明,氮化钛厚度、沟槽剖面形貌和顶部缺口形貌得到优化,双大马士革凹槽形貌、通孔剖面形貌以及通孔底部完整性得到较好控制,解决了氟化钛残留问题,有效解决了一体化刻蚀的工艺难题。
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