事件相关电位(P3)与记忆功能关系初探

来源 :中国神经精神疾病杂志 | 被引量 : 0次 | 上传用户:blueblacktzb
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目的 探讨事件相关电位 (P3)与记忆功能可能存在的关系。方法 对 60名正常人分别检测事件相关电位 (P3) (潜伏期、波幅和临床记忆量表 ,采用Spearman相关性分析软件进行分析。结果 P3的潜伏期 (FZ ,CZ记录点 )与记忆商呈显著性负相关 ,相关系数分别为- 0 .40 4 0和 - 0 .41 35 ,P3的波幅与记忆商相关性无统计学差异。结论 事件相关电位的潜伏期可对记忆功能的评价起一定的作用 Objective To explore the relationship between event-related potential (P3) and memory function. Methods Sixty normal subjects were tested for the correlation potential (P3) (latency, amplitude and clinical memory scale, respectively) using Spearman correlation analysis software.Results P3 latency (FZ, CZ) was significantly correlated with memory Negative correlation with correlation coefficient of -0.40 4 0 and -0.41 35, respectively. There was no significant difference between P3 amplitude and memory quotient.Conclusion The latency of event related potential may play a role in the evaluation of memory function
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