【摘 要】
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报道了分子束外延生长的绿光波段InGaN/AlN量子点材料,并综合考虑InGaN量子点的应变弛豫,以及应力和量子限制斯塔克效应对量子点发光波长的影响,提出了一种结合反射式高能电
【机 构】
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清华信息科学与技术国家实验室(筹),清华大学电子工程系,
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报道了分子束外延生长的绿光波段InGaN/AlN量子点材料,并综合考虑InGaN量子点的应变弛豫,以及应力和量子限制斯塔克效应对量子点发光波长的影响,提出了一种结合反射式高能电子衍射原位测量与光致荧光测量确定InGaN量子点组分的方法.
The green band InGaN / AlN quantum dot material grown by molecular beam epitaxy is reported. Based on the strain relaxation of InGaN quantum dots and the influence of stress and quantum confinement Stark effect on the emission wavelength of quantum dots, Reflective High Energy Electron Diffraction In - situ Measurement and Photofluorimetry to Determine InGaN QDs.
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