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采用高真空磁控溅射技术制备出无缓冲层NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Cu结构的自旋阀磁电阻薄膜。采用标准四探针法对自旋阀磁电阻比进行了测试,并利用振动样品磁强计（VSM）测量了样品的磁滞回线。结果表明：采用复合自由层NiFe/CoFe结构有效地提高了巨磁电阻比,相对于单一自由层结构自旋阀,巨磁电阻（GMR）从2.48%提高到3.3%。复合自由层NiFe/CoFe的引入明显降低了自旋阀体系的矫顽力。