【摘 要】
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三菱电机公司开发出一种超高速5 0 0MHz工作的同步式SRAM。在SRAM中 ,本产品是世界上最早采用堆栈式存储单元的产品 ,它使由中子产生的噪声影响控制到 1 /1 0。另外 ,通过采用p阱n型埋层 /
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三菱电机公司开发出一种超高速5 0 0MHz工作的同步式SRAM。在SRAM中 ,本产品是世界上最早采用堆栈式存储单元的产品 ,它使由中子产生的噪声影响控制到 1 /1 0。另外 ,通过采用p阱n型埋层 /p型衬底的三阱结构 ,把中子产生的噪声电荷降低到 1 /1 0。这样一来 ,就可
Mitsubishi Electric Corporation developed a synchronous ultra-high speed 500MHz SRAM. In SRAM, this product is the first in the world to use a stacked memory cell that controls the noise impact of neutrons to 1/10. In addition, the neutron-generated noise charge is reduced to 1/10 by using a triple-well structure of a p-well n-type buried layer / p-type substrate. In this way, you can
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