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基于高迁移率透明导电氧化物的高速、低插入损耗硅基光波导移相器研究

来源 :激光与光电子学进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：czy239239

【摘 要】

：

硅基光波导移相器是硅基光电子系统的重要组成部分。透明导电氧化物(TCO)薄膜的介电常数受栅极电压作用会产生调谐,有望应用于下一代高速、低插入损耗且兼容CMOS的硅基光波导

【作 者】

：

聂立霞 张燕 鲜仕林 秦俊 王会丽 毕磊 

【机 构】

：

电子科技大学国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心,电子科技大学电子科学与工程学院

【出 处】

：

激光与光电子学进展

【发表日期】

：

2019年15期

【关键词】

：

光学器件 移相器 电光效应 透明导电氧化物 optical devices phase shifters electro-optical effect tran 

【基金项目】

：

国家自然科学基金面上项目(61475031),国家自然科学基金优青项目(51522204),科技部重点研发计划(2016YFA0300802).

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硅基光波导移相器是硅基光电子系统的重要组成部分。透明导电氧化物(TCO)薄膜的介电常数受栅极电压作用会产生调谐,有望应用于下一代高速、低插入损耗且兼容CMOS的硅基光波导移相器中。TCO较高的光吸收系数限制了其在移相器中的应用。提出了一种基于高迁移率的透明导电氧化物的低插入损耗硅基光波导移相器,并证明了TCO材料迁移率与其损耗密切相关。通过理论计算和数值仿真,设计了一种基于高迁移率氧化镉(CdO)材料(μ=300cm^2·V^-1·s^-1)的硅基光波导移相器。所得器件在1550nm波

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