【摘 要】
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利用直流磁控溅射工艺制备了TbFex薄膜,通过改变溅射气压调节薄膜的成分,利用磁力显微镜研究了薄膜成分对畴结构的影响,最后从理论上讨论Ar气压对磁致伸缩薄膜TbFex成分的影
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利用直流磁控溅射工艺制备了TbFex薄膜,通过改变溅射气压调节薄膜的成分,利用磁力显微镜研究了薄膜成分对畴结构的影响,最后从理论上讨论Ar气压对磁致伸缩薄膜TbFex成分的影响,并建立了理论模型.结果表明:Ar气压在相当大的范围内影响着TbFex膜的成分,当气压从0.2 Pa增加到0.6 Pa时,Tb原子数百分比从30%增加到45%,磁力显微镜(MFM)观察到当Tb含量减少时,在零场下的磁化强度由与膜面垂直方向变为平行于薄膜平面方向.
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