【摘 要】
:
对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500~800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe1-xSx纳米晶体.测量了纳米晶体的室温吸收光谱和光致发光(PL)光谱,550℃生长的样品在300~800n
【基金项目】
:
国家自然科学基金,北京师范大学校科研和教改项目
论文部分内容阅读
对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500~800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe1-xSx纳米晶体.测量了纳米晶体的室温吸收光谱和光致发光(PL)光谱,550℃生长的样品在300~800nm的范围没有观察到吸收和发光峰,表明温度低于550℃玻璃中不能形成纳米晶体.生长温度在600~650℃,纳米晶体的PL光谱主要为两个宽的发光带,即带边激子发光带和通过表面态复合的发光带.随着生长温度的升高,带边复合发光的蓝移减小,通过表面态的发光逐渐消失,并出现了叠加于宽发光带上的一系列明显的弱发射峰.不同温度
其他文献
碳纳米管由于尺寸极小,它具有很大的场增强因子,且场发射稳定,这些特性使碳纳米管成为一种性能优良的场致发射材料.影响碳纳米管发射电流的重要参数是场增强因子,这需要求解
在5.0eV的激光激发下,在室温下富硅的LPCVD氮化硅薄膜可发射六个PL峰,其峰位分别为2.97, 2.77, 2.55, 2.32, 2.10, 1.9eV.经900~1 100℃在N2气氛下快速退火(RTA)处理后,样品的
以金属烷氧基化合物为原料,采用溶胶-凝胶法在1 000℃下合成了Eu3+掺杂的Y3Al5O12(YAG)磷光体.利用TG-DSC,XRD和发光光谱等对样品进行了表征.结果表明,YAG∶Eu3+的晶相形成温
采用高温固相反应合成了LaPO4∶Eu2+和LaPO4∶Ce3+,Eu2+样品,报道了Eu2+在LaPO4中的发光性质和Ce3+→Eu2+的能量传递现象.文中探讨了Ce3+→Eu2+的能量传递机理,根据Dexter电
生物组织的光学特性参数是与疾病的无损光诊断有关的重要的光学参数,一般的测量所应用的模型是假设生物组织为半无限厚的均匀结构.为了更能反映生物组织的真实特性,本文应用
采用一种新方法生长多层InGaN/GaN量子点,研究所生长样品的结构和光学特性.该方法采用了低温生长和钝化工艺,所以称之为钝化低温法.第一层InGaN量子点的尺寸平均宽度40nm,高
微波吸收无接触测量技术可以用于半导体粉体材料、微晶材料等研究光生载流子衰减过程.本文采用微波吸收法在室温下分别测量了ZnO纳米材料和微晶材料的光电子衰减过程.发现在
制备了铕配合物有机发光二极管(OLED),为了获得Eu(DBM)3bath的特征发射,在器件中引入BCP作为空穴阻挡层.通过引入交互叠层的TPD/m-MTDATA作为空穴传输层,与传统异质结器件相
用热丝化学气相沉积(HFCVD)法以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了纳米晶态6H-SiC.为减小6H-SiC与Si衬底之间的晶格失配,在HFCVD系统中通过对Si衬底表面碳化处理制备了