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GaN外延技术的一些进展

来源 :电子材料快报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：svetcn

【作 者】

：

秀林 

【出 处】

：

电子材料快报

【发表日期】

：

1999年3期

【关键词】

：

氮化镓 外延技术 Ⅲ-Ⅴ族 化合物半导体 

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