论文部分内容阅读
为了实现低功耗,尤其是低的静态功耗,在传统的带隙基准基础上设计的低静态电流CMOS基准源,是利用CMOS晶体管工作在弱反型区饱和漏电流随电压呈指数关系的原理实现的.在保证低温度系数18.9×10^-6℃和高精度的同时,实现了低的静态电流.仿真的结果显示其输出基准电压是1.109V,工作电压3V时,消耗功耗为1.2μW.