非均匀掺杂衬底MOS结构少子产生寿命的测量

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:z360052113
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本文分析了非均匀掺杂衬底MOS电容对线性扫描电压的瞬态响应,提出了三角波C-V技术测量非均匀掺杂MOs电容少子产生寿命的方法.该方法简单、且不需知道衬底的掺杂分布.
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