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研究了极细沟道 NMOSFET器件的随机电报信号噪声 ( RTS)的特征 .首次在室温下观测到了大幅度 (大于 60 % )的 RTS,发现当器件工作在弱反型区时 ,RTS幅度基本与温度和栅压无关 .对 RTS的动力学机制的分析及数值模拟表明 ,载流子数涨落与迁移率涨落引起的 RTS的幅度随着沟道宽度的减小而增加 ,当沟道宽度减小至 40 nm以下时 ,由荷电陷阱对沟道载流子散射而产生的迁移率涨落对细沟道中 RTS幅度的影响起主导作用 .