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为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对MOSFET栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖,定位了MOSFET开关损耗的来源,进而为缓启动电路设计优化,减少MOSFET的开关损耗提供了技术依据。
MOSFET开关损耗分析
【摘 要】
：
为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对MOSFET栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖,
【机 构】
：
上海贝尔股份有限公司
【出 处】
：
电子设计工程
【发表日期】
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2015年23期
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