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详细研究了高压N—LDMOS器件的电荷泵（CP）测试技术，指出了高压N—LDMOS器件的特殊结构对其CP测试结果的影响，并解释了高压N—LDMOS器件的CP曲线不饱和的原因，同时对由于不同的源漏偏压造成的高压N—LDMOS器件CP曲线的变化进行了深入的理论分析。这些结论可以为CP法测量界面态密度提供实验指导，同时为更加准确地分析高压LDMOS器件的CP测试曲线提供理论指导。