论文部分内容阅读
本实用新型公开了一种硅光电检测器,硅光电检测器的N+层的下表面设置有N型欧姆接触层,非掺杂本征层上端设有绝缘层,绝缘层上设置有与P+型浓硼扩散层接触的P型欧姆接触层,绝缘层上具有一个入射光窗口,硼扩散区位于该入射窗口的下方,非掺杂本征层位于N+层与硼扩散区之间,所述硼扩散区还包含有一P型淡硼扩散层,该P型淡硼扩散层位于非掺杂本征层与P+型浓硼扩散层之间,