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300KeVXe^2+离子束诱导的金属/硅界反应
300KeVXe^2+离子束诱导的金属/硅界反应
来源 :原子能科学技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wanghongtao11
【摘 要】
:
采用RBS分析方法,研究了宽温区(LNT—400℃)下Xe~(2+)离子束诱导引起的金属/硅界面反应,得到多种硅化物单相或双相生长层,讨论了化学驱动力和辐射增强扩散效应。
【作 者】
:
毛思宁
杨熙宏
陈坚
刘家瑞
高文玉
朱沛然
【机 构】
:
北京大学技术物理系,北京大学技术物理系,中国科学院物理研究所,中国科学院物理研究所清华大学物理系,北京,北京
【出 处】
:
原子能科学技术
【发表日期】
:
1990年5期
【关键词】
:
离子束
金属-硅体系
界面
反应
Xe~(2+) ion
Metal/silicon system
Interface reaction induced b
【基金项目】
:
国家自然科学基金
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采用RBS分析方法,研究了宽温区(LNT—400℃)下Xe~(2+)离子束诱导引起的金属/硅界面反应,得到多种硅化物单相或双相生长层,讨论了化学驱动力和辐射增强扩散效应。
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