,A Novel Interface-Gate Structure for SOI Power MOSFET to Reduce Specific On-Resistance

来源 :中国物理快报（英文版） | 被引量 : 0次 | 上传用户：lovegyyf

【作者】

：

【机构】

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College of Communication Engineering, Chongqing University, Chongqing 400044 “,”National Laboratory

【出处】

：

中国物理快报（英文版）

【发表日期】

：

2015年9期

【关键词】

：

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